东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备

　　2022年1月27日，东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。

　　这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅(Si)IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。

　　Ø 应用：

　　- 用于轨道车辆的逆变器和转换器

　　- 可再生能源发电系统

　　- 电机控制设备

　　- 高频DC-DC转换器

　　Ø 特性：

　　- 安装方式兼容Si IGBT模块

　　- 损耗低于Si IGBT模块

　　MG600Q2YMS3

　　VDS(on)sense=0.9V(典型值)@ID=600A，Tch=25℃

　　Eon=25mJ(典型值)，Eoff=28mJ(典型值)@VDS=600V，ID=600A，Tch=150℃

　　MG400V2YMS3

　　VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A，Tch=25℃

　　Eon=28mJ(典型值)，Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V，ID=400A，Tch=150℃

　　- 内置NTC热敏电阻

　　Ø 主要规格：

　　(除非另有说明，@Tc=25℃)