东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。
与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3],从而实现了优异的低损耗特性。此外,开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低,有助于减少开关电源的电磁干扰(EMI)。该产品提供SOP Advance和更为广泛采用的SOP Advance(N)这两种类型的表面贴装封装。
与此同时,东芝还提供各类工具,为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的G0 SPICE模型,现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝将进一步扩大其MOSFET产品线,通过减少损耗提高设备电源效率,进而帮助其降低功耗。
Ø 应用:
- 通信设备电源
- 开关电源(高效率DC-DC转换器等)
Ø 特性:
- 优异的低损耗特性(在导通电阻和栅开关电荷及输出电荷间取得平衡)
- 卓越的导通电阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)@VGS=10V
- 高额定结温:Tch(最大值)=175℃
Ø 主要规格:
(除非另有说明,@Ta=25℃)
器件型号 | TPH9R00CQH | |||
绝对最大 额定值 | 漏源电压VDSS(V) | 150 | ||
漏极电流(直流) ID(A) | @Tc=25℃ | 64 | ||
结温Tch(℃) | 175 | |||
电气特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON)最大值(mΩ) | @VGS=10V | 9.0 | |
@VGS=8V | 11 | |||
总栅电荷(栅极-源极+栅极-漏极) Qg典型值(nC) | 44 | |||
栅极开关电荷Qsw典型值(nC) | 11.7 | |||
输出电荷Qoss典型值(nC) | 87 | |||
输入电容Ciss典型值(pF) | 3500 | |||
封装 | 名称 | SOP Advance | SOP Advance(N) | |
尺寸典型值(mm) | 5.0×6.0 | 4.9×6.1 | ||
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注:
[1] 截至2022年3月的东芝调查。
[2] 栅极开关电荷和输出电荷。
[3] 与现有产品TPH1500CNH(U-MOSⅧ-H系列)相比,该产品将漏源导通电阻×栅开关电荷提高了大约20%,漏源导通电阻×输出电荷提高了大约28%。
(采编:www.znzbw.cn)