英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模块，助力提升功率密度和实现更紧凑的设计

来源/作者：智能装备网| 发布：ZNZBW.cn|发布时间：2021-12-14|阅读：458

【智能装备网讯】

近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。该器件采用半桥配置， EasyDUAL 1B封装的导通电阻（R_DS(on)）为11 mΩ，EasyDUAL 2B封装的导通电阻（R_DS(on)）为6 mΩ。升级为高性能AIN后，该1200 V器件适合用于高功率密度应用，包括太阳能系统、不间断电源、辅助逆变器、储能系统和电动汽车充电桩等。

EasyDUAL模块FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有优良的栅极氧化层可靠性最新CoolSiC MOSFET技术。由于DCB材料的热导率更高，结到散热器的热阻（R_thJH）最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模块中，该新型AIN陶瓷可帮助提高输出功率或降低结温，进而可以延长系统寿命。

供货情况

EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70现在即可订购。

（采编：www.znzbw.cn）

< 上一篇：2021，自动驾驶的“五代十国” 下一篇：重磅新品！研华EI－52边缘智能系统搭载Intel第11 >

点赞 0 反对 0 举报 0 收藏 0 打赏 0 评论 0

免责声明：
本网注明转载自互联网及其它来源的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同该观点或对其真实性负责，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时，必须保留本网注明的作品第一来源，并自负版权等法律责任。
如资讯内容涉及贵公司版权问题，请在作品发表之日起十五天内联系本网删除，否则视为放弃相关权利。