东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。
2022-04-01 13:00:31
326
标签：
TPH9R00CQH 东芝 MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。
2022-04-01 13:00:31 326
标签：
TPH9R00CQH 东芝 MOSFET
基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。
2022-03-28 18:38:14 296
标签：
Nexperia MOSFET
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。
2022-03-16 08:47:42 394
标签：
英飞凌 PQFN 2x2 OptiMOSTM MOSFET
新能源汽车和5G需要搭载大量电源管理IC，其中新能源汽车需要负荷瞬间大电流，因此需要更多的中高压MOSFET。在疫情影响导致产能降低的情况下，IDM大厂为抢占新兴市场，将部分中低压MOSFET产能转移至中高压MOSFET…
2022-03-11 18:34:19 544
标签：
世强 锐骏
2022年1月27日，东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700…
2022-01-30 23:49:51 743
标签：
东芝
自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计，只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动，可以节省Si MOSFET功率器件方案的成本。随着新能源受到全球政府的推动与支持，与新能源相关的半导体芯片…
2022-01-17 10:22:05 386
标签：
派恩杰半导体
由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电…
2021-12-15 09:50:15 556
标签：
电动马达 工业驱动器 硅基
电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益，提高性能和成本效率，可使产品最多提前6个月上市
2021-12-15 09:36:57 309
标签：
Microchip Mersen SiC 电源 栅极驱动器
近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。
2021-12-14 16:03:28 456
标签：
英飞凌 EasyDUAL CoolSiC MOSFET
现代工业对电力电子设备提出了很多要求：体积小、重量轻、功率大、发热少。面对这些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一筹莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天优势开始大显神通。SiC MOSFET大规模商用唯一的缺…
2021-12-10 10:03:57 401
标签：
派恩杰半导体
东芝电子元件及存储装置株式会社（ 东芝 ）11月30日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦--- TLP5705H 和 TLP5702H ，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。TLP5705H…
2021-12-02 12:01:23 554
标签：
东芝 薄型封装高峰值输出电流光耦
周一至周五 AM9:00 - PM18:00
站务与合作：info@deppre.com
广告与积分：2528074116@qq.com
扫码关注或加入QQ群（577347244）
经营性网站备案信息
ICP经营许可证
营业执照副本
不良信息举报中心