Vishay发布新型第三代20V P通道TrenchFET®功率MOSFET

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 5 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其导通电阻在采用PowerPAK® 1212-8型封装的产品中是最低的。器件的占位面积为3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK® SO-8或SO-8型封装占位面积的1/3，可大大节省电路板空间。

　　新款Si7615DN提供了超低的导通电阻，在10V、4.5V和2.5V条件下的导通电阻分别为3.9m、5.5m 和9.8m 。第三代TrenchFET功率MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗，使器件在执行开关任务时比市场上已有的P通道功率MOSFET消耗的能量更少。

　　Si7615DN采用了与Vishay最近发布的第三代TrenchFET® 20V P通道器件Si7137DP相同的PowerPAK® SO-8封装。为满足各个应用的特殊需求，第三代P通道TrenchFET®封装为设计工程师提供了多个选项，使工程师能够在具有最大漏极电流和散热功率的PowerPAK® SO-8封装(分别比SO-8封装高60%和75%)，或是节省空间的PowerPAK® 1212-8封装之间进行选择。

　　直到最近，只有30V电压的P通道功率MOSFET才具有这样低的导通电阻范围，因此Si7615DN的出现使设计工程师不再依赖于现有的高压MOSFET。在竞争的30V器件中，采用PowerPAK® 1212-8封装的器件在10V和4.5V栅极驱动电压下的导通电阻分别为14.4mΩ和27mΩ。

　　Si7615DN可用做电源适配器开关，或用于笔记本电脑、上网本、工业/通用系统中的负载切换应用。适配器开关(在适配器、墙上电源或电池电源之间切换)是始终导通的，并吸取电流。Si7615DN更低的导通电阻使其功耗更低，可节省电能并延长电池寿命。

　　新款TrenchFET® 功率MOSFET Si7615DN经过了100%的Rg测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为10周至12周。

　　VISHAY SILICONIX简介

　　Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。

　　创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK®) 和更小空间(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。

　　Siliconix创建于1962年，在1998年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。

　　VISHAY简介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及提供“一站式”服务的能力使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。