Vishay Siliconix推出新款MOSFET超低导通电阻

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 10 月 18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。

　　SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK)、SiHB16N50C (D2PAK)和SiHG16N50C (TO-247AC)的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而在功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和各种应用的LLC拓扑中节约能源，这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、PC机电源、LCD TV和开放式电源。

　　除了低导通电阻，这些器件的栅极电荷为68nC。栅极电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM)，这些MOSFET的FOM只有25.84 Ω-nC。

　　新款N沟道MOSFET使用Vishay Planar Cell技术进行生产，该技术为减小通态电阻进行了定制处理，可以在雪崩和通讯模式下承受高能脉冲。与前一代MOSFET相比，SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C还具有更快的开关速度，并减小了开关损耗。

　　这些器件符合RoHS指令2002/95/EC，并且经过了完备的雪崩测试，以实现可靠工作。

　　新款功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周到十周。

　　VISHAY简介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器、传感器及转换器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。(这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备)。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。