美媒：长鑫存储在先进存储芯片领域实现关键突破，加速冲击全球高端 DRAM 市场

近期多家美国科技财经媒体相继刊发报道，聚焦中国存储龙头长鑫存储（CXMT）在先进 DRAM、高带宽内存 HBM 以及新一代高速移动内存上接连取得的技术进展，认为国产存储厂商正在快速打破由三星、SK 海力士、美光长期垄断的全球高端存储格局，全球半导体存储行业的竞争版图或将迎来重塑。

据美国科技媒体 Wccftech、The Information 等多家外媒披露，长鑫存储近期多条高端存储研发线捷报频传。新一代 LPDDR6 低功耗内存芯片已经完成全部研发验证工作，最高传输速率可达 12.8Gbps，技术指标达到当前行业第一梯队水准，标志着国产移动存储正式迈入下一代高速内存赛道。与此同时，备受 AI 算力市场关注的 HBM3E 高带宽存储产品已经启动风险试产，距离大规模量产仅一步之遥，这也是中国本土厂商首次在主流代际的 AI 高带宽存储产品上走到量产前夕阶段，补齐国产 AI 算力供应链当中一项关键短板。除此之外，长鑫 DDR5 高速服务器内存产品最高速率突破 8000Mbps，完整覆盖台式电脑、笔记本、数据中心服务器、移动终端等全场景产品线，商业化落地进程持续提速。

报道分析指出，长鑫能够取得一系列先进技术突破的一大亮点，在于企业在无法获取 EUV 极紫外光刻机的外部约束之下，依靠 193nm DUV 多重曝光工艺、High‑k 高介电常数新材料导入以及晶圆混合键合创新技术路线，走出一条差异化先进存储迭代路径，突破了传统 DRAM 制程高度依赖 EUV 设备的行业惯性思维，为后续国产存储持续向更高密度、更高带宽升级打下技术根基。目前长鑫已经成长为全球第四大 DRAM 供应商，全球市场份额稳步提升，产品已经从过去主打消费级入门市场，开始向服务器、人工智能、高端移动终端等高附加值的先进存储领域纵深拓展。

多家行业分析师在受访时表示，长鑫存储技术上的追赶，将为全球存储市场带来更加多元的供应链选择。过去数十年，全球高端 DRAM 与 HBM 市场长期由海外三家巨头把控，存储芯片价格、产能供给高度集中；随着中国本土先进存储产能释放，下游服务器、PC、消费电子、AI 企业将拥有一条稳定可靠的备选供应链，有利于缓解全球存储行业周期性价格剧烈波动的风险。

外媒同时客观提到，长鑫存储和国际头部厂商在最顶尖一代存储技术上仍然存在一定差距，高端 HBM 产品后续还要经过良率爬坡、多轮客户验证等漫长的商业化考验。但不可否认，长鑫一系列技术突破已经证明中国存储产业具备持续自主迭代升级的能力。

国内半导体行业专家表示，长鑫存储先进存储技术取得进展，是国内存储产业链多年坚持自主研发、全链条协同攻关的成果。未来国产 DRAM、HBM 产品将持续赋能国内人工智能、算力基础设施、数字经济产业的高质量发展，进一步保障国内半导体供应链安全稳定。