ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量产体制,该系列产品的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2高达8V,非常适用于基站、数据中心等工业…
2022-03-28 18:38:16 215 标签: ROHM 栅极 GaN HEMT全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量产体制,该系列产品的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2高达8V,非常适用于基站、数据中心等工业…
2022-03-28 18:38:16 215 标签: ROHM 栅极 GaN HEMT周一至周五 AM9:00 - PM18:00
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