ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量产体制,该系列产品的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2高达8V,非常适用于基站、数据中心等工业…
2022-03-28 18:38:16 215 标签: ROHM 栅极 GaN HEMT全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量产体制,该系列产品的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2高达8V,非常适用于基站、数据中心等工业…
2022-03-28 18:38:16 215 标签: ROHM 栅极 GaN HEMTFlex Power Modules推出了以行业标准SIP-7格式封装、通孔的PUC-D2BG系列2W DC/DC转换器。
2022-03-19 15:47:19 158 标签: DC DC转换器 FlexDiodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出 DGD0579U 高侧和低侧栅极驱动器。这款高频装置内建自举式二极管,能够在半桥配置中驱动两个通常用于控制马达及 DC-DC 电力传输的 N 通道 MOSFET。
2022-03-02 10:00:00 364 标签: Diodes Incorporated DGD0579U 驱动器RECOM 最新推出专为 IGBT、Si、SiC 和 GaN 栅极驱动器供电的 RA3 系列 DC/DC 转换器。 RECOM在低成本、非稳压DC/DC转换器系列中新增了RA3系列 3W SMD模块,旨在为半导体开关栅极驱动器提供最佳电压。根据型号…
2022-01-24 13:34:19 358 标签: RECOM 工业电源 DC/DC转换器电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益,提高性能和成本效率,可使产品最多提前6个月上市
2021-12-15 09:36:57 240 标签: Microchip Mersen SiC 电源 栅极驱动器RAA227063可与各种MCU搭配,以更小尺寸实现高效、灵活的电机控制;全新成功产品组合展示了该产品与瑞萨新型RA6T2 MCU的卓越组合
2021-12-15 09:36:56 372 标签: 瑞萨电子 无刷直流电机 栅极驱动器 RAA227063东芝电子元件及存储装置株式会社( 东芝 )11月30日宣布,推出采用薄型SO6L封装的两款光耦--- TLP5705H 和 TLP5702H ,可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。TLP5705H…
2021-12-02 12:01:23 473 标签: 东芝 薄型封装高峰值输出电流光耦IR2x381Q/IR2x77S/IR2x771S/IR2x14SS/IR2x141SS 600V/1200V高速栅极驱动集成电路 IR2x381/IR2x77/IR2x771/IR2x14/IR2x141是两组带有完备保护功能的1200V及600V高压I…
2021-12-01 16:40:22 146 标签:简介目前,功率转换器市场快速演进,将来也会快速发展,从简单的高性价比设计模式走向更为广泛、更具持续性的创新模式。新的挑战不断涌现,比如,生产能供小型伺服驱动使用或者能集成到分布式存能单元功率转换…
2021-11-29 16:45:55 297 标签: ADI问:能否在200 ns内开启或关闭RF源?500)this.width=500" border=0 alt="" align=center src="http://www.iianews.com/resupload/00000000000000000011/116001015008/162262
2021-11-29 16:45:10 343 标签: ADI编者语:ISL6615、ISL6615A可缩短栅极电压上升下降时间,最大限度降低开关损耗, 提高效率并提供先进故障保护,而无需重新设计电路板。 美国加州、MILPITAS — 2008年5月16日 — 全球高性能模拟半导体设计和制…
2021-11-23 22:21:30 478 标签: Intersil DC/DC 稳压器 开关周一至周五 AM9:00 - PM18:00
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