东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。
2022-04-01 13:00:31 329 标签: TPH9R00CQH 东芝 MOSFET东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。
2022-04-01 13:00:31 329 标签: TPH9R00CQH 东芝 MOSFET基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型,但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。
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