GE推出新的高性能COM Express模块

    bCOM6-L1200：冲击/振动和极端温度的耐受性能优良

    弗吉尼亚州夏洛茨维尔市，2012年3月27日讯 GE智能平台宣布推出bCOM6-L1200加固6型COM Express模块。bCOM6-L1200集成了GE对于军事应用领域加固型解决方案的丰富开发经验，是OEM的理想选择，它的主要价值在于为客户搭建工业或严苛环境中所需的应用计算平台，从而缩短整个设计周期，降低验证成本。

    bCOM6-L1200采用COM Express架构，将载卡从处理器中分离，允许单独升级处理器，既简单又具成本效益，并能延长子系统的使用寿命。它降低了长期拥有成本，同时确保性能与不断变化的需求保持同步。
   
    与应用于良性环境中的解决方案有所不同，需要针对性地选择板载元件，以满足苛刻条件下的可靠性要求，处理器和内存是焊接在板上的，以保证最大的抗冲击和抗振性。扩展的机械结构可以更好的保护模块，并可针对不同环境选用保形涂料，以更好的应对湿气、粉尘、化学物质和极限温度等恶劣条件。

    bCOM6-L1200也结合了GE热性能的优化经验。

    bCOM6-L1200提供五个VIA Nano™和VIA Eden™处理器选项，性能介于800MHz和1.2GHz（x2）之间，功耗为3.5W到13.0W，是要求高性能低功耗解决方案的系统集成商的完美选择。bCOM6-L1200可配置高达8GB的DDR3 SDRAM，可部署在最严苛的应用中。

    GE能为客户提供必要的自有载卡配置支持，或承索供应定制式载卡型号。对于寻找独特、高附加值解决方案的系统集成商来说，能提供极高的灵活性。

    “因为其无与伦比的性能、模块性、灵活性、寿命和投资保护性，COM Express架构适用于各类应用领域，bCOM6-L1200为需要抵御严苛环境部署解决方案的客户带来了优势，”GE智能平台的产品经理Tommy Swigart说道。“对于期望在数据中心或办公环境以外的区域应用COM Express技术的组织来说，bCOM6-L1200能为他们提供最佳解决方案。”

    “我们很荣幸GE智能平台在新的bCOM6-L1200 COM Express模块中采用了VIA Nano处理器，”威盛电子嵌入式平台事业部主管吴亿盼说道。“GE独创的低功耗设计，在嵌入式行业中为应用于最极端环境中的加固解决方案树立了新的标杆。”

    bCOM6-L1200提供一个千兆以太网端口，支持10和100/1000 Mbits/秒的传输速率。还提供8个USB 2.0端口和两个串行ATA接口，可配置RAID 0和1或支持端口倍增。   

    SATA接口可用于SATA II驱动。bCOM6-L1200集成模拟CRT、LVDS和两个或三个DDI端口，图形性能卓越。I/O功能由三个PCI Express™ x1或1x 2+ 1x 1通道或是PCI Express x8/x4宽端口I/O提供。x8/x4端口适用于高端图形和视频应用。音频端口和GPIO或SD卡接口相结合，可实现广泛的多媒体应用。

    欲了解更多信息，请访问http://www.ge-ip.com/products/3622

    关于 GE

    GE (NYSE: GE)专注于解决与您的生活息息相关的问题。我们以一流的人才、最好的技术，解决最棘手的难题。寻求能源、医疗和家电、运输和金融解决方案，创造活力、健康的世界。这一切不只是设想，GE将以行动证明。欲了解更多信息，请访问公司网站www.ge.com.
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