东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。
2022-04-01 13:00:31 328 标签: TPH9R00CQH 东芝 MOSFET东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。
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2022-02-18 17:39:28 443 标签: Advanced Energy 热插拔电源周一至周五 AM9:00 - PM18:00
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