世界上第一款3D芯片工艺已经准备获取牌照,该工艺来自于无晶圆半导体设计公司BeSang公司。 BESANG公司制作的用于演示的芯片在其控制逻辑上使用了1.28亿个垂直晶体管用作内存位单元。
该芯片的设计在韩国国家Nanofab中心和斯坦福Nanofab进行。BeSang公司称,该工艺由25个专利保护,将允许FLASH、DRAM以及SRAM放置在逻辑电路、微处理器以及片上系统上。
BeSang公司声称该公司在底层使用高温处理工艺制造逻辑电路,在顶层使用低温工艺来制造内存电路,从而实现了3D芯片。将不同层的逻辑和内存电路放置在同一个芯片中,BeSang公司的处理工艺晶圆中集成了更多的裸片,从而降低了每个裸片的成本。
BeSang公司工艺过程为,首先在一个晶圆上通过常规的通孔和连接层来制作逻辑电路 ,然后在另一个晶圆上制作内存设备,最后将两个晶圆排列并粘在一起,从而形成单个3D单元。